[发明专利]半导体器件的形成方法在审
| 申请号： | 202010010414.8 | 申请日： | 2020-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN113078064A | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 唐睿智;李波;刘琳;黄豪俊;刘佳磊 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的形成方法，包括步骤：提供衬底，所述衬底上形成有鳍部，所述鳍部包括密集区和稀疏区；在所述稀疏区的相邻所述鳍部之间形成隔离件；在所述衬底上、所述鳍部的侧壁和顶部上形成介质层；在所述介质层上以及所述隔离件的侧壁上形成无定形硅层；采用湿法刻蚀工艺去除所述无定形硅层，所述湿法刻蚀工艺的刻蚀液中含有醇。本发明采用湿法刻蚀工艺去除无定形硅层时，湿法刻蚀的刻蚀液中含有醇，这样在去除无定形硅层的时候，隔离件和鳍部之间的无定形硅层可以被完全消除或基本消除，不会在鳍部和隔离件之间有残留的无定形硅层，从而提高半导体器件的性能和质量。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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