[发明专利]磁随机存取存储单元及磁随机存取存储器的形成方法在审
| 申请号： | 202010010415.2 | 申请日： | 2020-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN113078256A | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 李晓华;李煜 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种磁随机存取存储单元及磁随机存取存储器的形成方法，磁随机存取存储单元包括：衬底，所述衬底包括若干有源区和位于有源区之间的隔离区；位于所述有源区上的栅极结构；位于所述有源区上和隔离区上的字线结构，所述字线结构的侧壁与所述栅极结构的侧壁相接触。所述磁随机存取存储单元的性能得到了提升。 | ||
| 搜索关键词： | 随机存取 存储 单元 随机存取存储器 形成 方法 | ||
【主权项】：
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