[发明专利]用于静电防护的晶体管结构及其制造方法

摘要

公开一种用于静电防护的晶体管结构及其制造方法，晶体管结构包括：衬底和形成于所述衬底上部的掺杂区；形成于所述衬底表面的多个场氧化层；形成于所述掺杂区上部的依次隔开的第一N型阱区、P型阱区和第二N型阱区；形成于所述衬底表面上的且覆盖部分所述P型阱区的第一多晶硅层和第二多晶硅层；分别形成于所述第一N型阱区和所述第二N型阱区中的第一N+区域和第一P+区域；以及形成于所述P型阱区中的第二N+区域、第二P+区域和第三N+区域，位于所述第一N型阱区和所述P型阱区之间的第一漂移区的长度大于位于所述第二N型阱区和所述P型阱区之间的第二漂移区的长度。使得器件能保持良好的正向和反向工作特性，且静电防护能力极强，鲁棒性高。