[发明专利]形成半导体器件及其结构的方法在审
| 申请号： | 202010011870.4 | 申请日： | 2020-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN111585529A | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | J·J·丹尼尔斯;D·J·朱斯 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H03F3/45 | 分类号： | H03F3/45;H03M1/12 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明题为“形成半导体器件及其结构的方法”。在实施方案中，一种差分缓冲器可以包括第一输入级，该第一输入级将输入信号的非反相部分交替地与输出的非反相部分以及与输出的反相部分进行比较。该差分缓冲器的另一实施方案还可以包括第二输入级，该第二输入级将输入信号的反相部分交替地与输出信号的反相部分和输出信号的非反相部分进行比较。该差分缓冲器的其他实施方案可以包括反馈斩波开关，该反馈斩波开关将输出信号的非反相部分和输出信号的反相部分传送至第一输入级和第二输入级。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 半导体器件 及其 结构 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于半导体元件工业有限责任公司，未经半导体元件工业有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010011870.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种烟叶浸膏的提取方法
- 下一篇：车辆的进气管道结构
