[发明专利]单根ZnO微米带F-P模式紫外激光二极管的制备方法在审
| 申请号： | 202010012967.7 | 申请日： | 2020-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN111193188A | 公开（公告）日： | 2020-05-22 |
| 发明（设计）人： | 姜明明;阚彩侠;万鹏;孙雨周;吴裕庭;季姣龙 | 申请（专利权）人： | 南京航空航天大学 |
| 主分类号： | H01S5/327 | 分类号： | H01S5/327 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 施昊 |
| 地址： | 210016 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了单根ZnO微米带F‑P模式紫外激光二极管的制备方法。步骤：清洗石英衬底、玻璃衬底和p‑GaN衬底；在p‑GaN衬底一侧制备Ni/Au合金电极；将p‑GaN衬底与石英衬底紧密贴合，并在石英衬底上制备垫片，保证垫片与p‑GaN衬底紧密贴合和平齐；将n‑ZnO:Ga微米带移置到玻璃衬底上，保证微米带与玻璃衬底贴合，并在微米带两端按压铟电极；在微米带上定向溅射Ag纳米准粒子薄膜；在微米带两端的铟电极上施加电压，Ag纳米准粒子薄膜转化成AgNPs，得到AgNPs@n‑ZnO:Ga微米带复合结构；将微米带复合结构移置于p‑GaN衬底，得到异质结二极管。本发明实现了高品质的F‑P模式紫外激光。 | ||
| 搜索关键词： | zno 微米 模式 紫外 激光二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
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