[发明专利]低电磁干扰功率器件终端结构的制造工艺有效
| 申请号： | 202010013863.8 | 申请日： | 2020-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN110854072B | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 蔡少峰;任敏;高巍;李科;陈凤甫;邓波;贺勇;蒲俊德 | 申请（专利权）人： | 四川立泰电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L23/552;H01L27/02 |
| 代理公司： | 成都中玺知识产权代理有限公司 51233 | 代理人： | 周萍;邢伟 |
| 地址： | 629000 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种低电磁干扰功率器件终端结构的制造工艺，所述工艺制得的终端结构包括：从下至上依次层叠设置的金属化漏极、第一导电类型半导体衬底和第一导电类型半导体外延层，以及第二导电类型半导体主结、第二导电类型半导体等位环、第一导电类型截止环、第二导电类型半导体场限环、第一介质层、第二介质层、第三介质层、导电场板、电阻和金属化源极。本发明能够在场限环和场板之间引入HK介质层，由半导体场限环、HK介质层和场板构成MIS电容结构，并与相邻的多晶硅电阻串联，从而在源极和漏极高电位之间形成了RC吸收网络，能够有效抑制功率器件在快速开关中产生的dv/dt和di/dt，缓解EMI噪声。 | ||
| 搜索关键词： | 电磁 干扰 功率 器件 终端 结构 制造 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
