[发明专利]一种金属氧化物薄膜的阳离子掺杂装置和掺杂方法在审

专利信息
申请号: 202010013902.4 申请日: 2020-01-07
公开(公告)号: CN111193073A 公开(公告)日: 2020-05-22
发明(设计)人: 王欣月;李智信;凌洁;朱清滢;唐秀凤;王忆 申请(专利权)人: 五邑大学
主分类号: H01M10/058 分类号: H01M10/058;H01M4/13;H01M4/139;H01M10/42;G02F1/1523;G02F1/1524;G02F1/153;G02F1/155
代理公司: 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 代理人: 肖云
地址: 529000 广*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明实施例提供了一种金属氧化物薄膜的阳离子掺杂装置和掺杂方法,能够实现掺杂离子的定向迁移,相对于现有技术,上述阳离子掺杂装置利用通电电流在金属氧化物与液体(或凝胶体),即电解质层与金属氧化物薄膜的固‑液界面处形成磁场,掺杂离子在该固‑液界面处进行热平衡交换时,由于两侧能量势垒差的不同,导致离子从金属氧化物到液体(或凝胶体)会被加速,而从液体(或凝胶体)到金属氧化物则会被减速,导致在磁场作用下掺杂离子在金属氧化物和液体(或凝胶体)中走不同半径的半圆弧运动,从而引起掺杂离子在金属氧化物表面处形成宏观的移动量,实现掺杂离子的定向迁移。
搜索关键词: 一种 金属 氧化物 薄膜 阳离子 掺杂 装置 方法
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于五邑大学,未经五邑大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010013902.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code