[发明专利]基于多位垂直磁隧道结的存储器件在审
| 申请号： | 202010014791.9 | 申请日： | 2020-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN112786779A | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 朴在勤;白种雄;芦马渓;崔珍永;朴米里;李泫规;田韩率;郑善化 | 申请（专利权）人： | 汉阳大学校产学协力团 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/02 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 延美花;臧建明 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明揭示包括多位垂直磁隧道结的存储器件。设置于存储器件的多位垂直磁隧道结包括层叠于上部电极与下部电极之间的上部合成交换反铁磁层、固定层、下部双重自由层及上部自由层。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 垂直 隧道 存储 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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