[发明专利]一种掺杂钒酸镝磁光晶体、其制备生长方法及其应用在审

专利信息
申请号: 202010014911.5 申请日: 2020-01-07
公开(公告)号: CN111005071A 公开(公告)日: 2020-04-14
发明(设计)人: 徐刘伟;吴少凡;王帅华;郑熠;黄鑫 申请(专利权)人: 中国科学院福建物质结构研究所
主分类号: C30B29/30 分类号: C30B29/30;C30B15/00;G02F1/09
代理公司: 北京元周律知识产权代理有限公司 11540 代理人: 张莹;杨晓云
地址: 350002 福建*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 本申请公开了一种基于钒酸镝的磁光晶体、其制备生长方法及其应用。一种基于钒酸镝的磁光晶体,化学式为KxM1yMz2Dy(1‑x‑y‑z)VO4;其中,0≤x≤0.5,0≤y≤0.5,0≤z≤0.5;M1为+3价金属离子,M2为+2价金属离子。该晶体材料在532nm波长下的Verdet常数为‑249~‑309rad/m/T,比TGG晶体高出31%~63%,消光比为30‑40dB,高于TbVO4晶体和TGG晶体。该晶体材料可利用提拉法实现大尺寸晶体生长,生长周期短,晶体生长成本低。在应用方面,更有利于磁光器件的小型化设计,所使用的晶体体积小,成本也更低。
搜索关键词: 一种 掺杂 钒酸镝磁光 晶体 制备 生长 方法 及其 应用
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