[发明专利]一种Al-Si-Mn-Fe-Ga高熵十次准晶的制备方法

摘要

一种Al‑Si‑Mn‑Fe‑Ga高熵十次准晶的制备方法。本发明采用十次准晶中结构块相似的设计思路，在Al20Si20Mn20Fe20Ga20合金薄带中，制备出一种成分为Al21Si19Mn21Fe26Ga13的高熵十次准晶。该十次准晶含5种元素，且成分接近等原子比，满足高熵合金基于成分的定义。从熵值上看，其构型熵为1.59R，大于高熵合金的熵判据1.5R，满足高熵合金基于熵值定义，所以该十次准晶是高熵十次准晶。本发明的优点在于利用不同十次准晶合金系结构块相似的特点，首次成功制备出多主元高熵十次准晶，填补了高熵合金相结构上的空白。我们还利用原子分辨率高角环状暗场扫描透射电子显微像，在原子级别揭示了该高熵十次准晶的结构特点。为之后的高熵准晶合金的成份设计提供了新的思路。