[发明专利]一种SiC功率器件芯片栅氧化层的制造方法及功率器件有效
| 申请号： | 202010015322.9 | 申请日： | 2020-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN111009464B | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 吴苏州;高莹;李晓云;叶怀宇;张国旗 | 申请（专利权）人： | 深圳第三代半导体研究院 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/02;H01L29/423;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京华创智道知识产权代理事务所(普通合伙) 11888 | 代理人： | 彭随丽 |
| 地址： | 518055 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SiC功率器件芯片栅氧化层的制造方法及功率器件，其中SiC功率器件芯片栅氧化层的制造方法通过多次注入可以精确控制引入元素数量，既保证消除缺陷的效果，又不会引入过多的P/B元素导致栅极可靠性下降。多次注入优化元素分布保证了P注入层在热氧化过程中全部消耗。通过热氧化前光刻定义注入区，在SIC表面形成P/B注入区，使P和N元素共同形成界面陷阱，降低界面态，该方法不需要使用NO气氛退火就引入了两种元素，复合降低界面态，提升了栅极可靠性，降低了器件制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic 功率 器件 芯片 氧化 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
