[发明专利]一种半导体器件的形成方法及半导体器件在审
| 申请号： | 202010015447.1 | 申请日： | 2020-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN113161285A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 李强 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/28;H01L23/538;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海德禾翰通律师事务所 31319 | 代理人： | 侯莉 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体器件及其形成方法，方法包括：提供基底，在基底上形成介质层；对介质层顶部进行离子注入处理；在介质层上形成掩膜层；干法刻蚀掩膜层、介质层形成沟槽。本发明在介质层上形成掩膜层之前，先对介质层顶部进行离子注入处理，被注入的离子可以在介质层的顶部的部分形成阻挡结构。该阻挡结构能够在后续形成沟槽时，阻挡不必要的离子进入介质层，不会破坏材料的介电效果，更不会影响器件及金属连线的电特性，可以有效地保证半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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