[发明专利]一种硅蚀刻剂及其应用有效
| 申请号： | 202010015570.3 | 申请日： | 2020-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN111518561B | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 蔡墨勋 | 申请（专利权）人： | 才将科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C09K13/00 | 分类号： | C09K13/00;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张琳 |
| 地址： | 中国台湾台北市松*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是关于一种具有高硅/二氧化硅蚀刻选择比的硅蚀刻剂及其应用。所述的硅蚀刻剂包含至少一个缩酮类化合物和至少一个四级铵氢氧化物，以该硅蚀刻剂的总重量计，该缩酮类化合物所占的重量百分比是20～99重量％，该四级铵氢氧化物所占的重量百分比是0.1～10重量％。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 蚀刻 及其 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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