[发明专利]一种高稳定性低功耗Hf-Ge-Sb纳米相变薄膜及其制备方法与应用有效
| 申请号： | 202010015582.6 | 申请日： | 2020-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN111211221B | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 翟继卫;华思聪;沈波 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 顾艳哲 |
| 地址： | 200092 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种高稳定性低功耗Hf‑Ge‑Sb纳米相变薄膜及其制备方法与应用，纳米相变薄膜的化学通式为Hf |
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| 搜索关键词： | 一种 稳定性 功耗 hf ge sb 纳米 相变 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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