[发明专利]三维存储器的制备方法及三维存储器

摘要

本申请提供一种三维存储器的制备方法及三维存储器。所述制备方法包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括衬底、设于所述衬底上的堆叠结构和设于所述堆叠结构上的蚀刻阻挡层；所述半导体结构具有贯穿所述蚀刻阻挡层和所述堆叠结构的栅极隔槽，并在所述栅极隔槽内形成有导电结构；在所述蚀刻阻挡层背向所述堆叠结构的一侧形成连接层；提供蚀刻剂蚀刻所述连接层以形成第一连接孔，所述第一连接孔露出与所述第一连接孔对应的所述导电结构。本申请提供的制备方法解决了三维存储器中的连接孔与其靠近的栅极之间容易短路的问题。