[发明专利]R-T-B系烧结磁体及其制备方法有效
| 申请号： | 202010016222.8 | 申请日： | 2020-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN111081444B | 公开（公告）日： | 2021-11-26 |
| 发明（设计）人： | 施尧;蓝琴;黄佳莹 | 申请（专利权）人： | 厦门钨业股份有限公司;福建省长汀金龙稀土有限公司 |
| 主分类号： | H01F1/057 | 分类号： | H01F1/057;H01F41/02;C22C38/10;C22C38/06;C22C38/16;C22C38/14;B22F3/10;B22F3/24;B22F9/02;B22F9/04 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人： | 薛琦;邹玲 |
| 地址： | 361000*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了R‑T‑B系烧结磁体及其制备方法。该R‑T‑B系烧结磁体包含：R、B、Ti、Ga、Al、Cu和T，其含量如下：R的含量为29.0～33％；B的含量为0.86～0.93％；Ti的含量为0.05～0.25％；Ga的含量为0.3～0.5％，但不为0.5％；Al的含量为0.6～1％，但不为0.6％；Cu的含量为0.36～0.55％；所述百分比为质量百分比。本发明通过采用低B技术，在不添加或少量添加重稀土的情况下，既提高了R‑T‑B系烧结磁体的剩磁性能，也保证了磁体的矫顽力和方形度。 | ||
| 搜索关键词： | 烧结 磁体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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