[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 202010016295.7 | 申请日： | 2014-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN111193888B | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 荒木康弘 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H04N5/374 | 分类号： | H04N5/374;H04N5/3745;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 陈伟;闫剑平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及在活性区域内具有两个光电转换元件的半导体器件，其目的在于，缩短将光电转换元件和第一晶体管连接的布线的长度，减小布线电容的值。在半导体衬底(SUB)上多个像素区域呈矩阵状排列，多个像素区域分别具有活性区域(AR)、两个光电转换元件(PD)、两个浮动电容区域(FD)和第一晶体管(AMI)。多个像素区域分别包括两个传输晶体管(TX)，两个传输晶体管分别具有两个光电转换元件的每一个和两个浮动电容区域的每一个。第一晶体管在像素区域内，在两个浮动电容区域中的一个浮动电容区域与另一个浮动电容区域排列的方向上，配置在一个浮动电容区域与另一个浮动电容区域之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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