[发明专利]一种层状扇形结构掺锰一氧化钴材料及其制备方法在审
| 申请号： | 202010016674.6 | 申请日： | 2020-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN111153442A | 公开（公告）日： | 2020-05-15 |
| 发明（设计）人： | 吴大军;韩昊池;叶蓉蓉;陶石;钱斌 | 申请（专利权）人： | 常熟理工学院 |
| 主分类号： | C01G51/04 | 分类号： | C01G51/04 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 吴旭 |
| 地址： | 215500 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种层状扇形结构掺锰一氧化钴材料及其制备方法，涉及一种掺锰一氧化钴材料及其制备方法。本发明是为解决目前一氧化钴形貌多为球形、特殊形貌较少的技术问题。本发明的层状扇形结构掺锰一氧化钴材料为层状堆叠的扇形结构。本发明的层状扇形结构掺锰一氧化钴材料的制备方法：一、按比例称量、混合原料；二、溶剂热反应；三、离心分离、洗涤、真空干燥；四、焙烧。本发明的优点在于：本发明采用的溶剂热法操作简单、成本低廉，并且产物纯度高、晶型好，且可控，重现性好。本发明所制得的掺锰一氧化钴材料为片状堆叠形成的层状扇形结构，其层与层之间的间隙有效地提高了材料的比表面积，从而增加了材料的活性位点，因此有助于提高材料的储能性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 层状 扇形 结构 掺锰一 氧化钴 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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