[发明专利]一种高纯度超薄碳化硅衬底制备方法有效
| 申请号： | 202010016697.7 | 申请日： | 2020-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN111197181B | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 王丕龙;王新强 | 申请（专利权）人： | 青岛佳恩半导体有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02;C30B29/36 |
| 代理公司： | 武汉聚信汇智知识产权代理有限公司 42258 | 代理人： | 沙莎 |
| 地址： | 266000 山东省青岛市城阳*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种高纯度超薄碳化硅衬底制备方法，碳化硅制备技术领域，取三组等份的碳化硅原料，经气流粉末磨粉机破碎处理，将破碎后的碳化硅原料通过直线振动筛进行筛选，将步骤S1得到的碳化硅原料加入搅拌桶，并加入等量去离子水搅拌均匀，将三组等份的碳化硅原料装入密封腔内，并抽取真空、除杂后充入保护气体，该方式解决了现有技术在石墨坩埚中并没有进行分阶段的进行加热，在不同制备步骤下，如何进行分阶段的二次高温加工得技术问题，对经过加热的高质量碳化硅单晶进行二次高温快速退火加工，从而获得的超薄碳化硅单晶衬底品质好且加工方法简单，效率较之现有技术更高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纯度 超薄 碳化硅 衬底 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于青岛佳恩半导体有限公司，未经青岛佳恩半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010016697.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
