[发明专利]半导体发光器件在审
申请号: | 202010017050.6 | 申请日: | 2020-01-08 |
公开(公告)号: | CN112420886A | 公开(公告)日: | 2021-02-26 |
发明(设计)人: | 菅原秀人 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
主分类号: | H01L33/06 | 分类号: | H01L33/06;H01L33/30 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 白丽 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明的实施方式提供发光光谱的半值宽度窄并且长时间工作中的可靠性提高的半导体发光器件。实施方式的半导体发光器件具有基板和多量子阱层。上述多量子阱层设置于上述基板上,包含3个以上的InGaAs阱层和夹在2个InGaAs阱层中的多个势垒层。上述多个势垒层包含混晶比不同的至少2个区域或厚度不同的至少2个区域。 | ||
搜索关键词: | 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】:
暂无信息
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