[发明专利]一种用于介质背景中的多层硅隐身斗篷

摘要

本发明涉及一种用于介质背景中的多层硅隐身斗篷，采用多层柱状结构，其中核心为PEC电导体圆柱，电导体圆柱外周交替的包裹两种材料，一种为相对电磁参数为1的自由空间，另一种为介电常数较大的硅材料。优化多层结构中这两种材料的厚度使得散射截面取最小值。此时，散射截面是一个关于各层外半径的函数，采用遗传算法进行全局优化，最终可以得到最小的散射截面。本发明具有电磁参数简单、易于实现的优点，并且该斗篷可以实现在背景材料中的隐身，拓宽了隐身斗篷的应用场合。