[发明专利]SiC MOSFET模块全生命周期结温在线预测方法

摘要

本发明公开一种SiC MOSFET模块全生命周期结温在线预测方法，具体按照以下步骤实施：步骤1，采用全新的SiC MOSFET模块做功率循环直到模块完全老化失效；在功率循环期间采样该SiC MOSFET模块的电气参数作为数据集；步骤2，建立SiC MOSFET模块结温预测模型，包括依次连接的第一BP神经网络模型和第二BP神经网络模型；步骤3，采用数据集对进行模型训练；步骤4，将训练好的SiC MOSFET模块结温预测模型移植到FPGA中，在被测的SiC MOSFET模块实际运行中，输入电流Id，实时输出对应的结温Tc。本发明能够准确得到SiC MOSFET模块的结温，确保带模块安全稳定运行。