[发明专利]金修饰的花状SnS2在审

专利信息
申请号: 202010017845.7 申请日: 2020-01-08
公开(公告)号: CN111157589A 公开(公告)日: 2020-05-15
发明(设计)人: 朱倩琼;顾丁;李晓干;黄宝玉;张苏;刘炜 申请(专利权)人: 大连理工大学
主分类号: G01N27/12 分类号: G01N27/12;B82Y30/00;B82Y15/00
代理公司: 大连理工大学专利中心 21200 代理人: 温福雪;梅洪玉
地址: 116024 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明属于气体传感器技术领域,提供了一种金修饰的花状SnS2的二氧化氮气体传感器及制备方法。该二氧化氮气体传感器包括气体敏感材料和加热电极,所述气体敏感材料均匀涂覆于加热电极的表面;气体敏感材料为均匀分布金的花状SnS2,具有较大的表面积‑体积比结构,以及Au纳米颗粒可以作为具有特定催化特性的活性催化剂,可以增强吸附物质从活性位点到非活性位点的扩散和转移速率。本发明采用水热法和水浴法制备获得一种金修饰的花状结构纳米材料,其原材料获取方便、价格低廉、制备过程简单。
搜索关键词: 修饰 sns base sub
【主权项】:
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