[发明专利]一种光源引导下的超高密度空间互连引线的加工方法有效
| 申请号： | 202010018794.X | 申请日： | 2020-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN111048430B | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | 陈云;丁树权;贺云波;侯茂祥;陈新;高健;赵铌;张揽宇;汪正平 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | H01L21/603 | 分类号： | H01L21/603;H01L21/48 |
| 代理公司： | 佛山市禾才知识产权代理有限公司 44379 | 代理人： | 刘羽波;朱培祺 |
| 地址： | 510006 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种光源引导下的超高密度空间互连引线的加工方法，包括如下步骤：调配光热响应导电浆料，并放入气压注射器中；驱动气压注射器，使气压调节器上的微喷嘴对第一芯片焊盘，将光热响应导电浆料挤出，使光热响应导电浆料与第一芯片相连，形成互连引线；停止挤出光热响应导电浆料，并驱动气压注射器拉断互连引线；线光源发出光线，照射在互连引线上，使互连引线弯曲，并弯曲至第二芯片焊盘的上方；挤压机构将互连引线的自由端压在第二芯片焊盘上，使互连引线连接第一芯片和第二芯片；对第一芯片和第二芯片进行滴胶封装。本发明通过光热响应材料控制互连引线弯曲，从而满足先进封装中细线径、细间距、大跨度、低线弧、可靠性强的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光源 引导 超高 密度 空间 互连 引线 加工 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东工业大学，未经广东工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010018794.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
