[发明专利]基板处理装置在审
| 申请号： | 202010019383.2 | 申请日： | 2020-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN111415884A | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 青木大辅;南田纯也;丰田康典 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基板处理装置。该基板处理装置可靠地进行基板处理装置内的空间的气氛调整并且削减气氛调整用的气体的使用量。基板处理装置包括：控制基板处理区的处理区域内的气氛的第1气氛控制系统和控制基板处理区的基板输送区域内的气氛的第2气氛控制系统。第1气氛控制系统在利用各液体处理单元进行液体处理时，利用第1气体供给部向该液体处理单元供给气氛控制气体，并且利用第1气体排出部排出该液体处理单元内的气氛。第2气氛控制系统使气氛调整气体在属于该第2气氛控制系统的循环系统内循环，并且在液体处理单元中的至少一个液体处理单元于基板输送区域开放时，利用第2气体排出部排出第2气氛控制系统的循环系统内的气氛。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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