[发明专利]避免场效应晶体管少数载流子注入的方法及场效应晶体管有效
| 申请号： | 202010019450.0 | 申请日： | 2020-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN111192959B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 揭建胜;张秀娟;张晓宏;吴晓峰 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | H10K71/16 | 分类号： | H10K71/16;H10K85/60;H10K10/46;H10K101/30 |
| 代理公司： | 北京智汇东方知识产权代理事务所(普通合伙) 11391 | 代理人： | 白莉莉 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种避免基于p型窄带隙有机小分子的场效应晶体管少数载流子注入的方法及场效应晶体管。该方法包括如下步骤：在源电极和p型窄带隙有机小分子层之间，以及在漏电极和p型窄带隙有机小分子层之间均负载p型宽带隙有机半导体。本发明实施例通过在源电极和p型窄带隙有机小分子层之间，以及在漏电极和p型窄带隙有机小分子层之间均负载p型宽带隙有机半导体，从而从源头上避免了少数载流子(电子)的注入。 | ||
| 搜索关键词： | 避免 场效应 晶体管 少数 载流子 注入 方法 | ||
【主权项】：
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