[发明专利]一种激光优化绕镀的P型太阳能电池制造方法有效
申请号: | 202010019814.5 | 申请日: | 2020-01-09 |
公开(公告)号: | CN110828619B | 公开(公告)日: | 2020-04-10 |
发明(设计)人: | 林纲正;姜泽光;陈刚 | 申请(专利权)人: | 浙江爱旭太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/068 |
代理公司: | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人: | 金丽英 |
地址: | 322000 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开一种激光优化绕镀的P型太阳能电池制造方法,包括制绒、扩散、抛光、退火、背面钝化膜、正面钝化膜、背面激光开槽、丝网印刷、烧结、光致再生步骤,其特征在于:在背面钝化膜步骤之后、正面钝化膜步骤之前增加激光处理步骤,对硅片正面进行激光处理工序,激光处理区域为硅片正面丝网印刷边框线与硅片边框之间的区域。本发明通过增加一道激光对正面边框处理的工序,消除在背面镀膜时绕到正面的多余的氮化硅膜层,并且激光处理区域位于丝网印刷边框以外,对电池片电性能无影响,经过激光处理后电池片正面片内膜色差异减小,使制得电池片正面片内膜色均匀,符合黑背板组件对电池片膜色的要求,提高了用于黑背板组件电池片的外观良率。 | ||
搜索关键词: | 一种 激光 优化 太阳能电池 制造 方法 | ||
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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