[发明专利]一种基于二维材料的铁电忆阻器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202010019961.2 | 申请日： | 2020-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN111129299A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 秦琦;姚苏昊;张缪城;罗健成;施明旻;童祎;连晓娟 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人： | 范丹丹 |
| 地址： | 210046 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种基于二维材料的铁电忆阻器件及其制备方法，该铁电忆阻器件设置在衬底上，该铁电忆阻器件包括从上至下依次排列的顶电极、阻变层和底电极，所述阻变层包括介质层和敷设在该铁电材料介质层上方的MXene材料膜，所述顶电极通过掩膜板的开孔溅射在所述MXene材料膜的顶部，所述底电极包括顶部和底部，顶电极的顶部与所述介质层相触接，顶电极的底部与所述衬底相触接。该铁电忆阻器件的导电性和稳定性佳，阻态更稳定，可用于多值存储，具有广阔的应用前景；此外，本发明的制备方法简便、高效，成本低，适合在产业上推广使用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 二维 材料 铁电忆阻 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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