[发明专利]SiC单晶生长用坩埚、SiC单晶的制造方法及SiC单晶制造装置有效
| 申请号： | 202010019974.X | 申请日： | 2020-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN111424311B | 公开（公告）日： | 2022-06-28 |
| 发明（设计）人： | 藤川阳平 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 张轶楠;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及SiC单晶生长用坩埚和使用了该SiC单晶生长用坩埚的SiC单晶的制造方法及SiC单晶制造装置。本发明的SiC单晶生长用坩埚具备容纳SiC原料的原料容纳部和支承在所述原料容纳部的上方配置的晶种的晶种支承部，所述原料容纳部具有内面朝向下方逐渐变细的缩窄部。 | ||
| 搜索关键词： | sic 生长 坩埚 制造 方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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