[发明专利]一种用于提高太阳能级大尺寸单晶生长用坩埚寿命的方法在审
| 申请号： | 202010020159.5 | 申请日： | 2020-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN110983428A | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 李世超;闫斌;张小虎;段俊飞;马新星 | 申请（专利权）人： | 包头美科硅能源有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/10 | 分类号： | C30B15/10;C30B29/06 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 任立 |
| 地址： | 014010 内蒙古自治区*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种用于提高太阳能级大尺寸单晶生长用坩埚寿命的方法，包括在碳碳埚帮（4）的内壁上开设一组上下贯穿的埚帮凹槽（4a），再沿着石墨埚托（6）与碳碳埚帮（4）的连接处开设一圈圆环槽（6a），在石墨埚托（6）的表面中部开设一组相交于石墨埚托（6）内的一点的埚托凹槽（6b），每条埚托凹槽（6b）的两端均与圆环槽（6a）相通。本发明的优点是有效减少石英坩埚变形鼓包的现象，维持正常的拉晶和设备的正常使用，保证拉晶质量和生产效率的稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 提高 太阳 能级 尺寸 生长 坩埚 寿命 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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