[发明专利]晶体管、包含该晶体管的三维存储器元件及其制造方法在审
| 申请号： | 202010021379.X | 申请日： | 2020-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN111627978A | 公开（公告）日： | 2020-09-04 |
| 发明（设计）人： | 王振志;何立玮;王宇扬 | 申请（专利权）人： | 王振志 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/08;H01L29/78;H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 朱颖;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台北市文*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶体管、包含该晶体管的三维存储器元件及制造该存储器元件的方法。本发明的晶体管包含由半导体材料形成且沿半导体基材的法向方向延伸的柱体、栅极介电层以及栅极导体。柱体包含具有平行法向方向的基础侧面、与基础侧面相对的锥形侧面、顶面、底面、前侧面以及后侧面。于柱体中，第一细长部分夹在基础侧面、前侧面、底面以及顶面之间形成源极区域。第二细长部分夹在基础侧面、后侧面、底面以及顶面之间形成漏极区域。板状部分位于基础侧面上且位于第一细长部分与第二细长部分之间形成通道区域。柱体的其他部分形成本体区域。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 包含 三维 存储器 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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