[发明专利]热调偏置硅铌酸锂混合集成调制器及制备方法在审
| 申请号： | 202010021973.9 | 申请日： | 2020-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN111061010A | 公开（公告）日： | 2020-04-24 |
| 发明（设计）人： | 蔡欣伦;孙时豪 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | G02B6/136 | 分类号： | G02B6/136;G02B6/13;G02B6/122 |
| 代理公司： | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人： | 黄启文 |
| 地址： | 510275 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种热调偏置硅铌酸锂混合集成调制器及制备方法，可以高效地利用硅材料固有的高热光系数，实现一个高集成度、高稳定性的偏置点控制，在调制器方面保留了混合集成将硅高折射率、易于集成和铌酸锂高电光系数、线性高速远距离调制相结合的优点，相比较传统的利用铌酸锂普克尔斯效应的直流偏压控制偏置点具有更好的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 偏置 硅铌酸锂 混合 集成 调制器 制备 方法 | ||
【主权项】：
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