[发明专利]非挥发性存储元件及其制造方法在审
| 申请号： | 202010022120.7 | 申请日： | 2020-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN113097211A | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 王佳文;陈建宏;黄嘉晖;薛仁扬;周怜秀;徐治旸 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11519 | 分类号： | H01L27/11519;H01L27/11521 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种非挥发性存储元件及其制造方法。非挥发性存储元件包括基板。多个浅沟槽隔离线设置在所述基板上延伸于第一方向。存储栅极结构设置在所述基板上，且在所述多个浅沟槽隔离线的相邻二个之间。沟槽线设置在所述基板中，延伸于与所述第一方向相交的第二方向，其中所述沟槽线也跨过所述多个浅沟槽隔离线的顶部。导电线设置在所述沟槽线中当作选择线与所述存储栅极结构耦合。 | ||
| 搜索关键词： | 挥发性 存储 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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