[发明专利]4H-SiC沟槽绝缘栅双极型晶体管在审
| 申请号： | 202010023568.0 | 申请日： | 2020-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN111524971A | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | 王颖;毛鸿凯;曹菲;包梦恬 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423;H01L29/16;H01L29/06 |
| 代理公司： | 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人： | 杨舟涛 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了4H‑SiC沟槽绝缘栅双极型晶体管,包括P+欧姆接触区、N+发射区、P型沟道区、载流子存储层、N‑电压阻挡层、N+缓冲层、P+集电区、P型多晶硅区、沟槽型栅极；本发明相对于传统结构，主要提出了在器件集电极一侧引入了沟槽型的p‑poly/p‑SiC异质结。由于异质结做成了沟槽形状，所以器件在正常导通时可以提升空穴注入效率，使得器件的通态压降降低；同时新结构由于异质结的引入，其在关断的过程中为电压阻挡层中载流子的泄放提供了低阻通道，可以加速电子的抽取，进一步降低了关断损耗。 | ||
| 搜索关键词： | sic 沟槽 绝缘 栅双极型 晶体管 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州电子科技大学，未经杭州电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010023568.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：转子和马达
- 下一篇：一种以马尼拉草为碳源的复合电极材料的制备及其应用
- 同类专利
- 专利分类
