[发明专利]一种基于超临界的高质量宽禁带半导体氧化工艺及制备的氮化镓和应用在审
| 申请号： | 202010023689.5 | 申请日： | 2020-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN111199873A | 公开（公告）日： | 2020-05-26 |
| 发明（设计）人： | 耿莉;刘江;杨明超;李安鸽;刘成;刘卫华;郝跃;张勇 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/20;H01L29/78 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 高博 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于超临界的高质量宽禁带半导体氧化工艺及制备的氮化镓和应用，将氮化镓样品放置到超临界设备内支架上，保证样品垂直；向超临界设备的腔室内放入双氧水，然后将设备密封；控制压强向超临界设备内充入氧气；将超临界设备温度从25℃升到375～390℃；保持以上超临界状态处理，降压处理并保持；氮化镓样品的表面生长出一层致密的β氧化镓薄膜。本发明创新型的提出了在低温高压的超临界水和氧气的混合环境下，对宽禁带半导体进行快速氧化的工艺，相比于传统的干氧和湿氧氧化方法，该方法优点是快速，低温且所得氧化产物质量好。为宽禁带半导体的进一步应用打下基础。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 临界 质量 宽禁带 半导体 氧化 工艺 制备 氮化 应用 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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