[发明专利]一种用于脉冲化学气相沉积包膜的转筒式反应器及其应用有效
申请号: | 202010024442.5 | 申请日: | 2020-01-10 |
公开(公告)号: | CN111218669B | 公开(公告)日: | 2021-08-17 |
发明(设计)人: | 钟山;杨柯;梁斌;岳海荣;唐思扬;马奎;刘长军 | 申请(专利权)人: | 四川大学 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/40 |
代理公司: | 成都正华专利代理事务所(普通合伙) 51229 | 代理人: | 李蕊 |
地址: | 610064 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: |
本发明公开了一种用于脉冲化学气相沉积包膜的转筒式反应器及其应用。反应器包括前驱体供应部、反应部和尾气处理部;前驱体供应部包括第一供气部和第二供气部,第一供气部包括带加热装置的源瓶;第二供气部连通空气,由反应部负压抽入;反应部包括反应转筒和驱动反应转筒的驱动装置,反应转筒横向放置于驱动装置上;尾气处理部用于对反应转筒抽真空以及吸收反应后的尾气。本发明中的反应器主要用于对锐钛型TiO |
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搜索关键词: | 一种 用于 脉冲 化学 沉积 包膜 转筒式 反应器 及其 应用 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的