[发明专利]一种高导热氮化硅基板的制备方法有效
| 申请号： | 202010025210.1 | 申请日： | 2020-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN111170745B | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | 王月隆;田建军;秦明礼;吴昊阳;贾宝瑞;刘昶;章林;曲选辉 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | C04B35/584 | 分类号： | C04B35/584;C04B35/622;C04B35/638;C04B35/634;C04B35/64;C04B35/582 |
| 代理公司： | 北京市广友专利事务所有限责任公司 11237 | 代理人： | 张仲波 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高导热氮化硅基板的制备方法。属于陶瓷材料制备技术领域。本发明采用氮化硅粉末为原料，添加稀土氧化物和碱土金属氧化物作为混合烧结助剂，加入量为6wt％～10wt％，加入高分子化合物并在有机溶剂中球磨混合形成浆料。经流延成形为坯体，在氮气中1400℃～1600℃下预烧结1‑5h，再在气压烧结炉中1800℃～2000℃保温2‑10h，其氮气压力为0.5‑3MPa。本发明使用的氮化硅粉末为高纯α相氮化硅，具有很高的比表面积和高的烧结活性，能够有效降低致密化温度。加入的高分子含碳化合物为多组元，在惰性气氛中进行脱脂和预烧结，可提高制品热导率。制备的氮化硅陶瓷基板热导率不低于90W/m·K，抗弯强度不低于800MPa。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 导热 氮化 硅基板 制备 方法 | ||
【主权项】：
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