[发明专利]一种石墨烯/硫化铅红外探测器及其制备方法在审
申请号: | 202010026016.5 | 申请日: | 2020-01-10 |
公开(公告)号: | CN111129198A | 公开(公告)日: | 2020-05-08 |
发明(设计)人: | 冷重钱;申钧;聂长斌;张之胜;杨俊;汤林龙;冯双龙;魏兴战;史浩飞 | 申请(专利权)人: | 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 |
主分类号: | H01L31/09 | 分类号: | H01L31/09;H01L31/032;H01L31/18 |
代理公司: | 北京元本知识产权代理事务所(普通合伙) 11308 | 代理人: | 熊传亚 |
地址: | 400714 *** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | 本发明公开一种石墨烯/硫化铅红外探测器及其制备方法,其中,一种石墨烯/硫化铅红外探测器,包括衬底,所述衬底向上依次覆盖有石墨烯薄膜、金属电极、硫化铅种子层、硫化铅纳米晶薄膜层;其中,所述石墨烯薄膜上两端各铺设有一个所述金属电极。本发明通过在石墨烯和金属电极表面引入硫化铅种子层,基于种子层辅助生长硫化铅纳米晶,得到致密、平整、均匀的高质量硫化铅纳米晶薄膜层,最终实现高响应度的红外探测器。 | ||
搜索关键词: | 一种 石墨 硫化铅 红外探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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