[发明专利]一种石墨烯/硫化铅/钙钛矿光电探测器及其制备方法在审
申请号: | 202010026028.8 | 申请日: | 2020-01-10 |
公开(公告)号: | CN111129199A | 公开(公告)日: | 2020-05-08 |
发明(设计)人: | 冷重钱;申钧;聂长斌;张之胜;杨俊;汤林龙;冯双龙;魏兴战;史浩飞 | 申请(专利权)人: | 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 |
主分类号: | H01L31/09 | 分类号: | H01L31/09;H01L31/032;H01L31/18 |
代理公司: | 北京元本知识产权代理事务所(普通合伙) 11308 | 代理人: | 熊传亚 |
地址: | 400714 *** | 国省代码: | 重庆;50 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种石墨烯/硫化铅/钙钛矿光电探测器及其制备方法,其中,一种石墨烯/硫化铅/钙钛矿光电探测器,包括衬底,从所述衬底往上依次铺设有石墨烯薄膜、金属电极、硫化铅层、三维钙钛矿层、二维钙钛矿层;其中,所述石墨烯薄膜上两端各铺设有一个所述金属电极,且中间与所述硫化铅层接触。该石墨烯/硫化铅/钙钛矿光电探测器通过引入三维钙钛矿层钝化硫化铅层表面缺陷,抑制载流子的复合,提升载流子寿命;同时,硫化铅/三维钙钛矿复合结构可有效分离光生载流子,最终实现高增益的光电探测器;此外,覆盖二维钙钛矿薄膜,增强光电探测器的稳定性。该结构具有轻薄、增益高、稳定性好、易集成等优点,是一种实用性强的光电探测器。 | ||
搜索关键词: | 一种 石墨 硫化铅 钙钛矿 光电 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院重庆绿色智能技术研究院,未经中国科学院重庆绿色智能技术研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010026028.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的