[发明专利]半导体结构的检测方法及检测装置在审
| 申请号： | 202010026301.7 | 申请日： | 2020-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN111208018A | 公开（公告）日： | 2020-05-29 |
| 发明（设计）人： | 黄翔;刘丽娟;王许辉;锁志勇 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G01N3/24 | 分类号： | G01N3/24 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 董琳;陈丽丽 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体结构的检测方法及检测装置。所述半导体结构的检测方法包括如下步骤：提供一待测样品，所述待测样品中具有一待测键合界面；固定所述待测样品于第一基板中，使得至少所述待测样品中的所述待测键合界面暴露于所述第一基板表面；施加剪切应力于暴露的所述待测样品的侧面，获取所述待测键合界面在所述剪切应力作用下的界面信息。本发明填补了晶圆键合强度受剪切应力影响的实验空白，缩短了对键合界面键合程度检测的时间，且提高了检测结果的可靠性和准确性，为改善半导体结构的性能提供了重要参考。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 检测 方法 装置 | ||
【主权项】：
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