[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202010026380.1 | 申请日： | 2020-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN113113532A | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 王士京;杨成成;黄敬勇;何其暘 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/02;H01L43/12;H01L27/22 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 吴凡 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底包括衬底、位于衬底上的磁隧道结叠层结构，以及位于磁隧道结叠层结构上的第一盖帽材料层；对第一盖帽材料层进行第一刻蚀处理，形成盖帽层；在盖帽层的侧壁上形成第一侧墙层；对盖帽层和第一侧墙层露出的磁隧道结叠层结构进行第二刻蚀处理，形成磁隧道结单元。本发明实施例中，在第二刻蚀处理的过程中，第一侧墙层能够避免第二刻蚀处理对盖帽层的侧壁造成损伤；通常在第一刻蚀处理的过程中，还在盖帽层上形成第二电极层，在半导体结构工作时，盖帽层能够保护磁隧道结单元中的自由磁层不易受到第二电极层中载流子的影响，使得自由磁层的电子旋向稳定，使得磁隧道结单元具有良好的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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