[发明专利]一种用于冶金级硅电磁悬浮处理的电磁悬浮线圈和方法有效
| 申请号： | 202010026452.2 | 申请日： | 2020-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN111115636B | 公开（公告）日： | 2022-09-30 |
| 发明（设计）人： | 张桂芳;姜琦;严鹏;周春晖;漆鑫;杨清荣;刘宇;杨睿潇;邓贵先;易兵 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 650093 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于冶金级硅电磁悬浮处理的电磁悬浮线圈和方法，属于电磁悬浮熔炼技术领域。该用于冶金级硅电磁悬浮处理的电磁悬浮线圈，电磁悬浮线圈包括上端线圈和下端线圈；下端线圈与上端线圈为反向串联绕制，绕匝间距为0.5～1.0mm；所述上端线圈为1～2匝，内径为16～22mm；所述下端线圈为3～5匝，内径为16～22mm；所述两个上、下端线圈之间的间距为10～15mm；所述绕制线圈的材料采用直径为4～6mm的空心铜导管，绕制线圈的悬浮样品质量为0.6～1.0g，悬浮样品初始位置为两个线圈之间的间距中心位置下5～10mm。本发明通过改变电磁悬浮线圈的结构特性，使半导体材料冶金级硅快速升温，促使冶金级硅的电导率急剧上升，使其达到感应加热及悬浮精炼条件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 冶金 电磁 悬浮 处理 线圈 方法 | ||
【主权项】：
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