[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 202010026810.X | 申请日： | 2020-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN113113307B | 公开（公告）日： | 2023-03-07 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/08 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 吴凡 |
| 地址： | 300380 天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供衬底；在衬底上形成半导体柱；在半导体柱的侧壁上形成侧墙层；刻蚀侧墙层和半导体柱露出的衬底，在衬底中形成凹槽；在凹槽中形成第一掺杂层；形成凹槽后，在半导体柱的顶部形成第二掺杂层。本发明实施侧墙层具有厚度，因此侧墙层使得凹槽的侧壁距离半导体柱的侧壁保持一定距离，因此凹槽的侧壁距离半导体柱的侧壁以及半导体柱的底面均具有一定的距离。第一掺杂层形成在凹槽中，因此第一掺杂层中的掺杂离子不易扩散至半导体柱中，在半导体结构工作时，第一掺杂层的耗尽层不易扩展，有利于改善半导体结构的短沟道效应，从而优化半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
