[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 202010026831.1 | 申请日： | 2020-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN113113356B | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L29/06;H01L27/088 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 吴凡 |
| 地址： | 300380 天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：刻蚀第四掺杂材料层、第二半导体材料层、第三掺杂材料层、缓冲材料层、第二掺杂材料层以及第一半导体材料层，分别形成第四掺杂层、第二半导体柱、第三掺杂层、缓冲层、第二掺杂层以及第一半导体柱；第三掺杂层和第二掺杂层的掺杂离子的导电类型不同，在第一半导体柱的侧壁上形成第一栅极结构；形成第一栅极结构后，在第二半导体柱的侧壁上形成第二栅极结构。本发明实施例，缓冲层使得第三掺杂层和第二掺杂层不直接接触，使得第二掺杂层中的掺杂离子不易扩散至第三掺杂层中，第三掺杂层中的掺杂离子不易扩散至第二掺杂层中，优化了半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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