[发明专利]一种具有可见光波段的深紫外LED器件及其制备方法有效
申请号: | 202010026984.6 | 申请日: | 2020-01-10 |
公开(公告)号: | CN111223969B | 公开(公告)日: | 2021-07-20 |
发明(设计)人: | 张骏;袁章洁;戴江南;陈长清 | 申请(专利权)人: | 武汉深紫科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/06 | 分类号: | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/44;H01L33/00 |
代理公司: | 武汉智嘉联合知识产权代理事务所(普通合伙) 42231 | 代理人: | 易贤卫 |
地址: | 430000 湖北省武汉市东湖新技术开发*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开了一种具有可见光波段的深紫外LED器件及其制备方法,所述具有可见光波段的深紫外LED器件由下至上依次设置有蓝宝石衬底、AlN本征层、n型AlGaN层、电流扩展层、深紫外波段量子阱有源层、可见波段量子阱有源层、电子阻挡层、p型AlGaN注入层、p型GaN接触层、DBR层、p电极以及n电极。本发明通过在外延结构中单片集成基于AlGaN材料的深紫外波段量子阱与基于InGaN材料的可见光波段的量子阱,从而真正实现单颗器件既有深紫外波段发光又有可见光波段发光,并简化了双色灯珠器件的制作工序,降低了双色灯珠器件制作成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 可见光 波段 深紫 led 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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