[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202010027005.9 | 申请日： | 2020-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN112466828A | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 胁冈宽之 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/498;H01L23/488;H01L21/603;H01L21/607 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实施方式的半导体装置具备第1衬底及第2衬底。第2衬底积层在第1衬底的第1面上，且具有与该第1面对向的第2面。多个第1端子设置在第1衬底的第1面上。多个第2端子设置在第2衬底的第2面上。多个金属部分别设置在多个第1端子与多个第2端子之间。在相对于第1与第2衬底的积层方向大致垂直的方向的截面中，多个第1端子或多个第2端子在朝向最邻近的另一第1或第2端子的第1方向上具有凹部，或者在与第1方向交叉的第2方向上具有凸部。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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