[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 202010027445.4 | 申请日： | 2020-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN111430308B | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | 朴慧圣;朴钟爀;裵珍宇;尹普彦;尹一永;崔捧植 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00;H10B61/00;H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 翟然 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种制造半导体器件的方法包括：在基板上形成具有第一开口的第一图案结构和具有第二开口的第二图案结构；在第二开口中形成间隙填充层；在第一开口中形成围栏和接触结构；去除第二开口中的间隙填充层；形成上导电层以覆盖第一图案结构和第二图案结构、围栏和接触结构；基于使用由上导电层覆盖的第二图案结构作为对准标记的光刻工艺来形成掩模图案；以及使用该掩模图案蚀刻上导电层以形成上导电图案。第二开口的宽度大于第一开口的宽度。上导电层的厚度小于第二开口的深度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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