[发明专利]DRAM芯片老化测试设备、方法、计算机设备及存储介质有效
| 申请号： | 202010029257.5 | 申请日： | 2020-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN111209152B | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 赵佳思;刘栋;张卫民 | 申请（专利权）人： | 记忆科技（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | G06F11/22 | 分类号： | G06F11/22 |
| 代理公司： | 深圳市精英专利事务所 44242 | 代理人： | 巫苑明 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区蛇口街道蛇*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种DRAM芯片老化测试设备、方法、计算机设备及存储介质，设备包括用于提供环境温度控制的老化柜，及连接并控制所述老化柜的通信控制模块，以及用于放置被测试DRAM芯片的测试板，所述测试板包括有用于测试DRAM芯片的SSD主控模块，所述SSD主控模块通过高速DRAM接口连接多个DRAM芯片进行测试。本发明通过在测试板上使用SSD主控模块来同时连接多个DRAM芯片进行老化测试，在保证单个DRAM芯片的测试效率不受影响的前提下，大大提高了DRAM芯片老化测试设备的同测数量，进而提高了DRAM芯片老化测试的效率。 | ||
| 搜索关键词： | dram 芯片 老化 测试 设备 方法 计算机 存储 介质 | ||
【主权项】：
暂无信息
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