[发明专利]基于铌酸锂绝缘体的高品质因子微环谐振器及方法有效
| 申请号： | 202010029629.4 | 申请日： | 2020-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN111090149B | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 张双根;周志媛 | 申请（专利权）人： | 天津理工大学 |
| 主分类号： | G02B6/293 | 分类号： | G02B6/293 |
| 代理公司： | 北京惠智天成知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11681 | 代理人： | 王芳 |
| 地址： | 300384 *** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： |
一种基于铌酸锂绝缘体的高品质因子微环谐振器以及一种基于铌酸锂绝缘体的高品质因子微环谐振方法。该基于铌酸锂绝缘体的高品质因子微环谐振器结构如下：包括有第一波导通道、第二波导通道以及谐振微环，由第一波导通道以及第二波导通道形成谐振空间，在谐振空间内设置跑道型谐振环，谐振微环设置在跑道型谐振环内。本发明所提供的基于铌酸锂绝缘体的高品质因子微环谐振器，可以使品质因子达到3.873×10 |
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| 搜索关键词： | 基于 铌酸锂 绝缘体 品质 因子 谐振器 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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