[发明专利]非超高真空环境离子镀膜制备低氧含量易氧化薄膜的装置及方法在审
| 申请号： | 202010029774.2 | 申请日： | 2020-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN111020515A | 公开（公告）日： | 2020-04-17 |
| 发明（设计）人： | 田广科;田世宇;张海军 | 申请（专利权）人： | 兰州广合新材料科技有限公司;兰州交通大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/32;C23C14/16;C23C14/06 |
| 代理公司： | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 | 代理人： | 任凯 |
| 地址： | 730000 甘肃省兰州*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种镀膜装置及方法，具体涉及一种非超高真空环境离子镀膜制备低氧含量易氧化薄膜的装置及方法。本发明的技术方案如下：非超高真空环境离子镀膜制备低氧含量易氧化薄膜的装置，在离子镀膜的镀膜腔室中，镀膜靶源对向基片台，镀膜腔室中设有辅助靶源和遮挡板，所述遮挡板设置在镀膜靶源与辅助靶源之间，所述遮挡板将辅助靶源的工作区域与镀膜靶源及基片台的工作区域予以隔离。本发明能够实现在非超高真空环境条件下低氧含量易氧化薄膜的制备，一方面镀膜工艺中的本底真空度条件较为宽松，另一方面制成薄膜含氧量显著降低，特别适合在大型工业化镀膜生产线上应用。 | ||
| 搜索关键词： | 超高 真空 环境 离子 镀膜 制备 低氧 含量 氧化 薄膜 装置 方法 | ||
【主权项】：
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